|
Полное название НОЦ: |
|
|
1. Научно-образовательный центр по направлению «Нанотехнологии» НИЯУ МИФИ. |
|
|
Краткое название НОЦ: |
|
|
Наноцентр НИЯУ МИФИ |
|
|
Статус НОЦ: |
|
|
структурное подразделение в составе организации (ВУЗа) |
|
|
Город: |
|
|
Москва |
|
|
Регион: |
|
|
Москва |
|
|
Федеральный округ: |
|
|
Центральный Федеральный Округ |
|
|
Руководитель НОЦ: |
|
|
Стриханов Михаил Николаевич |
|
|
Должность руководителя НОЦ: |
|
|
ректор |
|
|
Ученая степень руководителя НОЦ: |
|
|
д-р. физ.-мат. наук |
|
|
Ученое звание руководителя НОЦ: |
|
|
профессор |
|
|
Телефон руководителя НОЦ: |
|
|
8 (495) 788-56-99, доб. 9900 |
|
|
E-mail руководителя НОЦ: |
|
|
Организация учредитель: |
|
|
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» |
|
|
Руководитель организации-учредителя: |
|
|
Стриханов Михаил Николаевич |
|
|
Ученая степень руководителя организации-учредителя: |
|
|
д-р. физ.-мат. наук |
|
|
Ученое звание руководителя организации-учредителя: |
|
|
профессор |
|
|
Телефон руководителя организации-учредителя: |
|
|
8 (495) 788-56-99, доб. 9900 |
|
|
E-mail руководителя организации-учредителя: |
|
|
Контактное лицо: |
|
|
Каргин Николай Иванович, д-р. техн. наук, профессор |
|
|
Телефон контактного лица: |
|
|
8 (495) 788-56-99, доб. 8146 |
|
|
E-mail контактного лица: |
|
|
Факс контактного лица: |
|
|
8 (499) 324-2111 |
|
|
Реализуемые базовые направления деятельности НОЦ в рамках ННС (не более трех, ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Наноэлектроника |
|
2 |
Функциональные наноматериалы для энергетики |
|
3 |
Наноинженерия |
|
Приоритетные направления развития науки, технологий и техники в РФ, реализуемые на базе НОЦ (не более трех, ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Индустрия наносистем. |
|
2 |
Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика. |
|
3 |
|
|
Критические технологии РФ, реализуемые на базе НОЦ (не более десяти, ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Базовые технологии силовой электротехники. |
|
2 |
Технологии наноустройств и микросистемной техники. |
|
3 |
Технологии создания электронной компонентной базы и энергоэффективных световых устройств. |
|
4 |
Компьютерное моделирование наноматериалов, наноустройств и нанотехнологий. |
|
5 |
Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств. |
|
6 |
Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии. |
|
7 |
Технологии получения и обработки функциональных наноматериалов. |
|
8 |
|
|
9 |
|
|
10 |
|
|
Базовая профессионально – тематическая ориентация НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Нано- и микросистемная техника |
|
2 |
Наноэлектроника |
|
3 |
Моделирование и проектирование наносистем |
|
4 |
Процессы нанотехнологии |
|
5 |
Фотоника |
|
Доминирующие организационные формы функционирования НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Центр контрактного производства |
|
2 |
Центр прототипирования |
|
3 |
Центр компетенций |
|
4 |
Центр базовых образовательных технологий |
|
5 |
Центр коллективного пользования |
|
Функциональная ориентация НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Прикладные исследования |
|
2 |
Фундаментальные и поисковые исследования |
|
3 |
Лабораторно-методическое обеспечение образовательного процесса |
|
4 |
Инновации, трансфер технологий и методов |
|
5 |
Коллективное использование уникального оборудования, в том числе дистанционный доступ |
|
Преимущественный вид выполняемых работ (не более пяти, ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Опытно-конструкторские работы |
|
2 |
Научно-исследовательские работы |
|
3 |
Опытно-технологические работы |
|
4 |
|
|
5 |
|
|
Доминирующие источники финансирования (ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Федеральные целевые программы |
|
2 |
Хоздоговорная деятельность |
|
3 |
Российские гранты |
|
4 |
Ведомственные программы |
|
5 |
Международные контракты |
|
6 |
Международные гранты |
|
Предлагаемый вид наукоемкой продукции в рамках возможного сетевого сотрудничества (ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Производственные технологии и маршруты |
|
2 |
Технологические операции |
|
3 |
Аналитико-диагностические методы |
|
4 |
Образовательные технологии |
|
5 |
Программные средства |
|
6 |
Информационно-аналитические средства (базы данных) |
|
Результаты научно-технической и образовательной деятельности (указать три приоритетных из выборки) |
|
|
1 |
Прибор (модуль, компонент, блок, устройство, прибор, электронная элементная база) |
|
2 |
Технологический маршрут |
|
3 |
Конструкция |
|
Базовые направления создания объектов интеллектуальной собственности ( указать три приоритетных из выборки) |
|
|
1 |
Полезная модель |
|
2 |
Изобретение |
|
3 |
Прочее |
|
Наиболее значимые патенты за период 2009-2012 гг (не более 5) дата приоритета, номер, название |
|
|
1 |
28.12.2010, № RU 2449422 C1 «СВЕТОДИОДНЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ» |
|
2 |
Заявка 24.04.2013 № 028448, «Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на кремнии монокристаллическом» |
|
3 |
Заявка 25.04.2013 № 028447, «Способ формирования высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур» |
|
4 |
|
|
5 |
|
|
Реализуемые на базе НОЦ образовательные программы: |
|
|
Основные образовательные программы (не более 5- номера направлений и их названия) |
|
|
1 |
150800 «Основы измерений в твердотельной наноэлектроники». Специальность «Физика конденсированного состояния вещества» . |
|
2 |
210100.«Электроника и микроэлектроника» |
|
3 |
210104.«Микроэлектроника и твердотельная электроника» |
|
4 |
210105.«Электронные приборы и устройства» |
|
5 |
Направление: «Ядерные физика и технологии» 140800. Специальность «Физика конденсированного состояния вещества», специализации: «Физика и технология полупроводниковых гетероструктур» 140301, «Физика наноструктур» 140301 |
|
Программы повышения квалификации (не более 2) |
|
|
1 |
|
|
2 |
«Наносистемы и наноструктуры в современных технологиях». |
|
Программы переподготовки кадров (не более 2) |
|
|
1 |
|
|
2 |
|
|
Программы профессиональной ориентации школьников (названия направлений дисциплин) |
|
|
1 |
150800.Профессиональная ориентация школьников и абитуриентов по направлению «Физика конденсированного состояния вещества» |
|
2 |
|
|
Научно-образовательная полиграфическая продукция (ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Статьи в реферируемых изданиях |
|
2 |
Лабораторные практикумы |
|
3 |
Учебное пособие с грифом «УМО» |
|
4 |
Тезисы докладов |
|
5 |
Учебное пособие |
|
Избранные публикации по тематике деятельности НОЦ (не более 10) |
|
|
1 |
Р.В. Рыжук, А.М. Коновалов, А.Л. Кузнецов, А.Ю. Павлов, А.А. Макаров Разработка энергоэффективного светильника на основе наногетероструктур InGaN/GaN/AlGaN. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы.- Вып. 1 (228).- 2012.- С. 90-94. |
|
2 |
В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, И.С. Васильевский и др. Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP. // ЖЭТФ.- Том 143.- Вып. 5.- 2013.- стр. 872-876. |
|
3 |
Л.А. Сейдман, К.Д. Ванюхин, С.П. Кобелева, Ю.А. Концевой, В.А. Курмачев Исследование однородности поверхностного сопротивления металлических пленок Ti, Al, Ni, Cr и Au на кремнии. // Известия вузов. Материалы электронной техники.- № 4.- 2012.- с. 33-36. |
|
4 |
Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Имамов Р.М. и др. Структурные и электрофизические свойства метаморфных наногетероструктур с высоким содержанием InAs (37–100%), выращенных на подложках GaAs и InP. // Кристаллография.- Том 56.- № 5.- 2011.- стр. 934-939. |
|
5 |
Е.В. Берлин, Н.Н. Коваль, Л.А. Сейдман Плазменная химико-термическая обработка поверхности стальных деталей. – М.: Издательство «Техносфера». – 2012.- 464 с. |
|
6 |
Р.В. Рыжук, М.Н. Стриханов, Б.А. Билалов, А.С. Гусев Исследование влияния технологических режимов на величину удельного переходного сопротивления контактов к карбиду кремния. // Ядерная физика и инжиниринг.- Т. 3.- № 4 - 2012.- с. 380–384. |
|
7 |
Khabibullin R.A., Vasil'evskii I.S., Klimov E.A. et.al. Effect of the built-in electric field on optical and electrical properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs p-HEMT nanoheterostructures. // Semiconducters.- Iss. 45.- № 5.- 2011.- pp. 657-662. |
|
8 |
R.V. Ryzhuk, N.I. Kargin, A.Y. Polyakov, A.V. Govorkov, N.B. Smirnov et. al. Effect of electron irradiation on AlGaN/GaN and InAlN/GaN heterojunctions. // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronic & Nanoelectronic Devices.- Vol. 31.- Is. 2.- 2013.- p.6 |
|
9 |
В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, Н.А. Юзеева, И.С. Васильевский, и др. Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP. // ФТП.- Т. 47.- Вып. 7.- 2013.- стр. 927-934 |
|
10 |
Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б. и др. Увеличение подвижности электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs в случае многоподзонной проводимости. // Ядерная физика и инжиниринг.- Том 3.- № 2.- 2012.- стр. 173-178. |
|
Виды предоставляемых услуг (ранжировать по значимости) |
|
|
1 |
Проведение совместных исследований и разработок |
|
2 |
Изготовление продукции на заказ |
|
3 |
|
|
4 |
Предоставление удаленного доступа |
|
5 |
Предоставление оборудования и инфраструктуры в аренду |
|
Международная кооперация (ранжировать по значимости, исходя из реализуемых направлений) |
|
|
1 |
Стажировка сотрудников |
|
2 |
Совместное выполнение научных исследований |
|
3 |
|
|
4 |
|
|
5 |
|
|
Уровень научно-технической деятельности (самооценка) |
|
|
Результат превосходит мировой уровень |
|
|
Уровень образовательной деятельности (самооценка) |
|
|
Соответствует мировому уровню |