Научно-технологическая продукция
Наноцентра НИЯУ МИФИ
СВЧ-транзистор С- и Х-диапазона на GaN (фото). Совместная реализация
данного проекта позволит создать конструкцию мощного транзистора, который по
выходной мощности (4 Вт в режиме непрерывного усиления сигнала и 20 Вт
в радиоимпульсном режиме) и надежности смогут превзойти существующую элементную
базу.
Светоизлучающий диод с прозрачным
контактом к p+-области (фото). Разработана
топология светодиода, вывод света в котором производится через «лицевую» сторону
подложки. Что позволит упростить процедуру монтажа кристалла в корпус.
HEMT структуры InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP. На основе принципиальной схемы была разработана топология КВЧ МШУ в копланарном варианте.
Образовательная продукция
Наноцентра НИЯУ МИФИ
Книги:
1. Л.А. Сейдман, Е.В. Берлин «Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии». – М.: издательство «Техносфера», 2010, 528 с.
2. Л.А. Сейдман, Е.В. Берлин, Н.Н. Коваль «Плазменная химико-термическая обработка поверхности стальных деталей». – М.: издательство «Техносфера», 2012, 464 с.
Лабораторные работы:
1. «Работа с зондовой станцией, основы геометрической калибровки зондов». Цель работы – изучение основных элементов и принципов работы зондовой станции; приобретение практического навыка позиционирования и геометрической калибровки зондов.
2. «Измерение параметров корпусного транзистора с помощью тестера «FORMULA-TT». Цель работы – приобретение практических навыков работы с тестером полупроводниковых приборов «FORMULA-TT».
3. «Анализатор цепей. Электронная калибровка». Цель работы – изучение основных возможностей анализатора цепей; приобретение практического навыка подготовки установки к измерениям и электронной калибровки измерительного тракта.
4. «Измерение параметров полупроводников с помощью зондовой станции EP 6». Цель работы: приобретение практических навыков работы с ручной станцией на примере EP 6 фирмы Cascade Microtech.
5. «Калибровка зондов». Цель работы - приобретение практических навыков калибровки измерительного тракта для проведения высокочастотных измерений на пластине.
6. «Измерение переходного сопротивления металлических контактов». Цель работы: приобретение практических навыков по измерению параметров тестовой структуры - переходного сопротивления МЕ1 МЕ2 в контактном окне.