Оборудование НОЦ "Нанотехнологии"

Наименование оборудования на объекте (в том числе уникального)	Назначение оборудования	Изготовитель оборудования	Основные технические характеристики оборудования (измерительные, аналитические, технологические возможности)
Установка электроимпульсного плазменного спекания, модель SPS625	Установка предназначена для спекания порошковых материалов под воздействием механического давления и импульсного тока большой величины (силы) (Spark plasma synthesis – SPS или Field-activated combustion synthesis - FACS).	SPS SYNTEX INC (Япония)	Максимальное механическое усилие 100кН; максимальный ток импульса 5000А; максимальное напряжение, подаваемое на образец, 12В; рабочий ход пресса 150мм; максимальная скорость движения пуансона 4мм/сек; рабочая камера поддерживает два режима работы: вакуум, инертный газ; максимально допустимая температура спекания 2400°С; максимальная скорость нагрева 500К/мин;
Система приготовления поперечного среза образцов наноструктур для исследования методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ)	Cистема предназначена для проведения полного и единого цикла подготовки широкого спектра материалов и объектов, включая твердотельные наноструктуры (многослойные, волокнистые, порошкообразные и пр.)	Gatan (США)	Оборудование, его конструкция, комплектация и принцип работы позволяют уменьшать толщину образца до 50 нм без структурных нарушений исследуемой области, существенных для проведения ПЭМ исследований
Вакуумная установка для получения тонких пленок и наноструктур методом магнетронного распыления (2 шт.)	Указанное оборудование представляет собой технологические автоматизированные установки, предназначенные для синтеза тонкопленочных наноструктурированных материалов и структур оптоэлектроники	Torr Internation (США)	Вакуум 10-7 мм.рт.ст Рабочая частота 13,36 Мгц Мощность RF-распыления 600Вт. Мощность DC-распыления 600Вт.
Вакуумная установка для создания наноструктур методом реактивного ионно-плазменного травления	Указанное оборудование представляет собой автоматизированную установку, предназначенную для плазменной обработки поверхности объемных образцов и пленочных структур методом реактивного ионно-плазменного травления в вакууме	Torr Internation (США)	Вакуум 10-5 мм.рт.ст Рабочая частота 13,36 Мгц Мощность RF-распыления 300Вт
Установка AIX 200 (RF) для выращивания пленок соединений A3B5  в системе InGaAsP методом МОС-гидридной эпитаксии с комплектом оборудования для получения алюминий содержащих полупроводниковых структур	Указанное оборудование представляет собой технологический комплекс по выращиваю полупроводниковых пленок соединений A3B5  в системе AlInGaAsP методом МОС-гидридной эпитаксии	Aixtron, (Германия)	Управляемый рост пленок соединений A3B5  в системе AlInGaAsP методом МОС-гидридной эпитаксии, неоднородности по толщине ±2%, неоднородность по составу ±1%. Толщины и уровни легирования, определяются параметрами роста. Мах. температура реактора 1100ºС ±2º, давление в реакторе 40-1000mbar ±1mbar.
Универсальная система зондовой микроскопии для комплексных исследований наноструктурированных материалов	Указанное оборудование представляет собой измерительный комплекс состоящий из следующих систем: - Система для конфокальной оптической микроскопии - Система для сканирующей зондовой микроскопии - Система для исследования оптических свойств объекта за пределом дифракции (флуоресценция, спектроскопия комбинационного рассеяния)	NT-MDT(г.Зеленоград)	Измерение рамановских сдвигов в диапазоне 150-8500 с шагом 9 см-1 и в диапазоне 150-800 с шагом 0,7 см-1. Cканирующая ближнепольная оптическая микроскопия и эффекты локального усиления комбинационного рассеяния (TERS — tip enhanced Raman scattering), дают возможность картировать распределение оптических свойств (пропускание, рассеяние, поляризация света и др.), а также осуществлять спектроскопию комбинационного рассеяния с разрешением до 50 нм в плоскости XY.
Анализатор свойств полупроводниковых приборов и материалов	Указанное оборудование представляет собой измерительный комплекс для прецизионных измерений вольтамперных и вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур и приборных структур на их основе и представляет собой многомодульный, переконфигурируемый, под разные по типу и уровню чувствительности измерения, комплекс приборов	Agilent Technologies (США)	Измерение ВАХ и ВФХ (разрешение по току – 0,1 фА., напряжению 0,5 мкВ., частоте от 1 кГц до 5 МГц), 10 гнезд для установки модулей, программный пакет Easy EXPERT установлен непосредственно в прибор, возможность анализа полученных данных
Гелиевый криостат замкнутого цикла	Криостат предназначен для измерения оптических и гальваномагнитных свойств наноструктурированных материалов	Janis Research Company, Inc. (USA)	Температура в диапазоне 9.5 – 300 К с точностью 0.1 К. Размер измерительной головки 38 мм для расположения в зазоре электромагнита.