Полное название НОЦ:

 

Научно-образовательный центр по направлению "нанотехнологии"

 

Краткое название НОЦ:

 

НОЦ НТ

 

Статус НОЦ:

 

структурное подразделение в составе организации (ВУЗа)

 

Город:

 

Томск

 

Регион:

 

Томская область

 

Федеральный округ:

 

Сибирский

 

 Руководитель НОЦ:

 

Малютин Николай Дмитриевич

 

 Должность руководителя НОЦ:

 

Директор

 

Ученая степень руководителя НОЦ:

 

Доктор технических наук

 

Ученое звание руководителя НОЦ:

 

Профессор

 

Телефон руководителя НОЦ:

 

(3822) 52-79-42

 

 E-mail руководителя НОЦ:

 

ndm@main.tusur.ru

 

Организация учредитель:

 

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники».

 

Руководитель организации-учредителя:

 

Шурыгин Юрий Алексеевич

 

Ученая степень руководителя организации-учредителя:

 

Доктор технических наук

 

Ученое звание руководителя организации-учредителя:

 

Профессор

 

Телефон руководителя организации-учредителя:

 

(3822) 510-530

 

E-mail руководителя организации-учредителя:

 

office@tusur.ru

 

Контактное лицо:

 

Малютин Николай Дмитриевич

 

Телефон контактного лица:

 

(3822) 52-79-42

 

E-mail контактного лица:

 

ndm@main.tusur.ru

 

Факс контактного лица:

 

(3822) 51-43-02

 

Реализуемые базовые направления деятельности НОЦ в рамках ННС (не более трех, ранжировать по значимости)

1

Наноэлектроника

2

Наноинженерия

3

 

 

Приоритетные направления развития науки, технологий и техники в РФ, реализуемые на базе НОЦ (не более трех, ранжировать по значимости)

1

Индустрия наносистем.

2

Информационно-телекоммуникационные системы.

3

Перспективные виды вооружения, военной и специальной техники.

 

Критические технологии РФ, реализуемые на базе НОЦ (не более десяти, ранжировать по значимости)

1

Технологии создания электронной компонентной базы и энергоэффективных световых устройств.

2

Компьютерное моделирование наноматериалов, наноустройств и нанотехнологий.

3

Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств.

4

Базовые и критические военные и промышленные технологии для создания перспективных видов вооружения, военной и специальной техники.

5

 

6

 

7

 

8

 

9

 

10

 

 

Базовая профессионально – тематическая ориентация НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости)

1

Наноэлектроника

2

Процессы нанотехнологии

3

Моделирование и проектирование наносистем

4

Испытание нанопродукции

5

 

 

Доминирующие организационные формы функционирования НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости)

1

Центр прототипирования

2

Центр коллективного пользования

3

Центр метрологического обеспечения

4

Центр базовых образовательных технологий

5

 

 

Функциональная ориентация НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости)

1

Фундаментальные и поисковые исследования

2

Прикладные исследования

3

Прототипирование, контрактное и мелкосерийное производство

4

Подготовка кадров в рамках основного образовательного процесса

5

Коллективное использование уникального оборудования, в том числе дистанционный доступ

 

Преимущественный вид выполняемых работ (не более пяти, ранжировать по значимости)

1

Научно-исследовательские работы

2

Опытно-конструкторские работы

3

Опытно-технологические работы

4

Услуги: образовательный процесс

5

 

 

Доминирующие источники финансирования (ранжировать по значимости)

1

Хоздоговорная деятельность

2

Федеральные  целевые программы

3

Российские гранты

4

Ведомственные программы

5

 

6

 

 

Предлагаемый вид наукоемкой продукции в рамках возможного сетевого сотрудничества (ранжировать по значимости)

1

Производственные технологии и маршруты

2

Технологические операции

3

Программные средства

4

 

5

 

6

 

 

Результаты научно-технической  и образовательной деятельности (указать три приоритетных из выборки)

1

Модель(макет)

2

Способ

3

Метод

 

Базовые направления создания объектов интеллектуальной собственности ( указать три приоритетных из выборки)

1

Топология интегральной микросхемы

2

Изобретение

3

Программа для ЭВМ

 

Наиболее значимые патенты за период 2009-2012 гг (не более 5) дата приоритета, номер, название

1

04.09.2009, №2406182. Способ халькогенизации поверхности GаAs

2

10.09.2009, №2402103. Способ пассивации поверхности  GаAs

3

12.08.2009, №2422941. Способ изготовления омического контакта к GaAs на основе тонких пленок Ge и Cu

4

10.03.2011, №2458429. Способ получения тонкопленочного медно-германиевого соединения

5

30.05.2011, №2460172. Транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления

 

Реализуемые на базе НОЦ образовательные программы:

 

Основные образовательные программы (не более 5- номера направлений и их названия)

1

210600.62 «Нанотехнология»

2

210104.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»

3

210100.62 «Электроника и микроэлектроника»

4

 

5

 

 

Программы повышения квалификации (не более 2)

1

Наноэлектроника

2

 

 

Программы переподготовки кадров (не более 2)

1

Программа переподготовки специалистов в области промышленного производства
конкурентоспособных наногетероструктурных монолитных
интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов СВЧ

2

 

 

Программы профессиональной ориентации школьников (названия направлений дисциплин)

1

 

2

 

 

Научно-образовательная полиграфическая продукция (ранжировать по значимости)

1

Статьи в реферируемых изданиях

2

Учебное пособие

3

Статьи в иностранных изданиях

4

 

5

 

 

Избранные публикации по тематике деятельности НОЦ (не более 10)

1

Е.В. Ерофеев, В.А. Кагадей, С.В. Ишуткин, К.С. Носаева, Е.В. Анищенко, В.C. Арыков / Разработка бездрагметального GaAs pHEMT транзистора с субмикронным Т-образным затвором  //  Доклады ТУСУРа, № 2 (22), часть 1, с. 183 – 186, декабрь 2010. 

2

E. Erofeev, S.V. Ishutkin, V.A. Kagadei, K.S. Nosaeva / Multilayer low-resistance Ge/Au/Ni/Ti/Au based ohmic contact to n-GaAs // Proceedings of the 5th European Microwave Integrated Circuits Conference 27-28 September 2010, Paris, France, pp. 290 – 293,   ISBN: 978-2-87487-017-0

3

Е.В. Ерофеев, В.А. Кагадей. Особенности формирования низкорезистивного омического контакта Ge/Au/Ni/Ti/Au омического контакта к n-GaAs. // Микроэлектроника, т. 41, №2, с.1-8, 2012.

4

Системы автоматизированного моделирования и проектирования технологических процессов и технологических маршрутов производства СВЧ МИС, оптимизация производства (основы САПР Synopsys TCAD): учеб. пособие / Д.Д. Зыков, К.Ю. Осипов. – Томск: В-Спектр, 2010. – 76 с.

5

Арыков В.С., Гаврилова А.М., Дедкова О.А., Кагадей В.А., Лиленко Ю.В. Формирование субмикронного затвора GaAs ПТШ с использованием четырёхслойного диэлектрического макета // Микроэлектроника. – 2012. – том 41, №. 3. – С. 181–187.

6

Арыков В.С., Дедкова О.А., Кривчук А.С., Ющенко А.M. GaAs СВЧ МИС двухпозиционного коммутатора в SO-8 пластиковом корпусе // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы – 2012. – том 229, №. 2. – С. 3–8.

7

Мокеров В.Г., Бабак Л.И., Федоров Ю.В., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И., Бугаев А.С., Кузнецов А.Л., Гнатюк Д.Л. Разработка комплекта монолит-ных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs pHEMT технологии // Доклады ТУСУР. – 2010. – №2 (22). – Ч.1. – С. 105-117.

8

Песков М.А., Дорофеев С.Ю., Барышников А.С., Кошевой С.Е., Добуш И.М., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И. Интеллектуальная система автоматизированного проектирования СВЧ-устройств INDESYS // Информационные технологии. – 2010. - №2. - С. 42 – 48.

9

Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В. Технология кремниевой наноэлектроники: Учебное пособие. – Томск: В-Спектр, 2011. – 263 с. ISBN 978-5-91191-203-1

10

Данилина Т.И., Чистоедова И.А. Оборудование для создания и исследования свойств объектов наноэлектроники: Учебное пособие. – Томск: В-Спектр, 2011. – 96 с. ISBN 978-5-91191-202-3

 

Виды предоставляемых услуг (ранжировать по значимости)

1

Изготовление продукции на заказ

2

Проведение совместных исследований и разработок

3

Подготовка/переподготовка кадров

4

 

5

 

 

Международная кооперация (ранжировать по значимости, исходя из реализуемых направлений)

1

Совместное выполнение научных исследований

2

Стажировка сотрудников

3

Совместные образовательные программы

4

 

5

 

 

Уровень научно-технической деятельности (самооценка)

 

Соответствует мировому уровню

 

Уровень образовательной деятельности (самооценка)

 

Соответствует мировому уровню