Продукция НОЦ НТ
В 2012 г. выполнен проект «Разработка технологических процессов производства гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов на основе медной металлизации без использования драгоценных металлов, производства GaAs и GaN СВЧ МИС на основе гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов и низкобарьерных диодов и к модернизированной технологической линии производства GaAs СВЧ МИС» в рамках х/д № 74/10 от 15.07.2010 между ЗАО «НПФ «Микран» и ТУСУРом по 218 постановлению Правительства РФ. Объем НИОКР в 2012 г. сотавил 100 млн. руб., 25 млн. руб. – объем НОЦ НТ.
Основной результат: разработан технологический процесс изготовления металлизации на основе меди в монолитных интегральных схемах на основе гетероструктур GaAs и GaN. Получена приемлемая температурная стабильность переходных сопротивлений. Разработка защищена патентом РФ №2436184 «Способ изготовления омического контакта к GaAs, подано 3 заявки на изобретения, материалы доложены на 5-той Европейской конференции по интегральным микросхемам СВЧ, 10-11 сентября 2010, Париж, Франция, 6-той Европейской конференции по интегральным микросхемам СВЧ, 10-11 октября 2011, Манчестер, Англия. Эскизная документация на ТП передана в ЗАО «НПФ «Микран» по акту и используется в опытном производстве.
Разработка основ синтеза методом "выращивания" 2D и 3D топологий нерегулярных микрополосковых структур, управляемых интегральных устройств ВЧ и СВЧ диапазонов и их экспериментальное исследование. Объем ПНИР 3,9 млн. руб. Результаты внедрены в разработки ООО «НПФ Сибтроника».
Основной результат: решена задача синтеза функциональных устройств с 3D топологией на основе рельефных связанных полосковых структур. Разработан метод импульсной нелинейной рефлектометрии для экспериментального исследования устройств.
Комплекс исследований, направленных на решение научных задач характеризации, моделирования, проектирования и опытного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ диапазона на основе материалов GaAs, InP, GaN. Объем НИР 4,5 млн. руб.
Основной результат: разработаны методы автоматизации построения моделей компонент на основе экспериментальных данных измерения параметров на зондовой установке в диапазоне до 40 ГГц, программа проектирования МИС СВЧ с применением моделей, а также изготовлены макеты усилителей. Получены свидетельства на программу и топологию ИС, результаты опубликованы в журналах из списка ВАК.
Разработка технологии пористых пленок с низкой диэлектрической проницаемостью. Объем 1,1 млн. руб. Разработана магнетронная технология получения многофункциональных пористых наноразмерных слоев диоксида кремния. Получено положительное решение выдаче патента на изобретение по заявке № 2010118778/28 (026700) «Способ получения пористого диоксида кремния», защищена кандидатская диссертация по данной тематиике.
Получение периодических наноструктур γ-Al2O3 при воздействии лазерного излучения. НИОКР выполняется по х/д 73/10 от 15.07.2010 «Разработка высокоэффективных и надежных полупроводниковых источников света и светотехнических устройств и организация их серийного производства» между ОАО НИИ «Полупроводниковых приборов» и ТУСУКРом. Общий объем х/д 68 млн. руб.
Результат: разработана технология получения наноструктур для применения при производстве светодиодов с увеличенным коэффициентом полезного действия.
Технология производства гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов на основе медной металлизации без использования драгоценных металлов и производства GaAs и GaN СВЧ МИС на основе гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов и низкобарьерных диодов передана в ЗАО «НПФ «Микран» и применяется в настоящее время в опытном производстве монолитных интегральных схем.
НОЦ оказывает услуги по проведению электронной литографии с разрешением не хуже 40 нм, измерению параметров СВЧ МИС на зондовой установке по заказам компаний и предприятий: ЗАО «НПФ «Микран; ОАО НИПП, ОАО «Октава», ООО «НПФ Сибтроника», ООО «Элликс», ООО «ТУСУР-Электроника» и др.
В 2012 г. ректор ТУСУРа Шурыгин Ю.А., директор НОЦ НТ Малютин Н.Д. стали лауреатами премии Правительства РФ в области образования за работу "Система организации образовательных ресурсов для обеспечения прямых запросов рынка труда в кадровом сопровождении новых и быстроразвивающихся наукоёмких производств" в составе авторского коллектива, в который вошли представители Фонда инфраструктурных и образовательных программ РОСНАНО, Национального исследовательского университета «МИЭТ», Приволжского филиала федерального государственного автономного учреждения «Федеральный институт развития образования», Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)».
По инициативе РОСНАНО в 2012 г. разработаны и одобрены РСПП два проекта профессиональных стандартов: «Инженер-конструктор в области производства наногетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем», «Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем».