Оборудование НОЦ НТ

 

            Нанотехнологический комплекс  «НАНОФАБ

 

 

 IMG_8431.JPG                    В конце 2010года    

 

IMG_1733                     В конце 2011 года

                                       

 

Назначение

Научно-производственный нанотехнологический комплекс (НТК) «НАНОФАБ-100» предназначен для разработок и серийного производства различных наноструктур, наноэлементов и устройств на их основе, а также для исследования наноструктурированных материалов с измерением состава и визуализацией наноструктур при разработке технологий создания  наноэлементов микроэлектроники и многофункциональных защитных покрытий, используя пучково-плазменные нанотехнологии ионного легирования

Структура

НТК имеет модульную технологически связанную структуру и рассчитан на работу с материалами диаметром до 100 мм. В состав НТК входят следующие функциональные модули:

·       сверхвысоковакуумный радиальный транспортный модуль (РТМ);

·       модуль загрузки и хранения образцов;

·       сверхвысоковакуумный модуль поворота и передачи образцов;

·       сверхвысоковакуумный имплантационный модуль фокусированных ионных пучков (ФИП ИМП);

·       сверхвысоковакуумный модуль фокусированных ионных пучков со сканирующим электронным микроскопом и системой вторично-ионной масс-спектроскопии (ФИП-СЭМ ВИМС);

·       модуль магнетронного напыления;

·       модуль плазмохимического травления и очистки (ПХТ).

Характеристики

     Имплантационный модуль фокусированных ионных пучков предназначен для модификации поверхности подложек, совмещая достоинства технологии ФИП с методом ионного легирования. Он позволяет создавать наноструктуры с заданными свойствами размером порядка десятков нанометров.

    Модуль фокусированных ионных пучков со сканирующим электронным микроскопом и системой вторично-ионной масс-спектроскопии предназначен для модификации поверхности посредством резки и травления ионным пучком, а также исследования структуры и состава приповерхностного слоя материала подложки.

    Модуль магнетронного напыления объединяет в едином вакуумном цикле целый ряд технологических процессов, включающих ионную очистку и активацию поверхности подложки, нанесение однослойных и многослойных наноструктурированных покрытий с высокой плотностью и заданным составом.

    Модуль плазмохимического травления и очистки предназначен для «сухого травления» и очистки широкого диапазона материалов.

Применение

Создание и исследование нано-и  микроструктур

Коммерческое предложение

Совместная работа, выполнение работ на заказ

Установка ионного легирования и формирования

                                           защитных покрытий

DSC_3241

Назначение

       Разработка тех­нологии ионного легирования при­по­верх­ностного слоя ме­тал­лов и формирования нано­струк­ту­ри­ро­ванных за­щит­ных покрытий пуч­ко­во-плаз­мен­ными ме­­то­дами на различных из­делиях машиностроения с целью по­вы­ше­ния их кор­ро­зи­он­ной ­стойкости, из­но­со­стой­кости, тер­мо­стойкости и ус­той­чи­вос­ти к ус­та­лост­ным нагрузкам, что позволит зна­чи­тель­но по­вы­сить срок их службы и безопасность эксплуатации

Структура

      Установка включает в себя следующие основные системы:

·       систему тонкой очистки поверхности;

·       блок ионных источников и генераторов металлической плазмы с источниками электро­питания;

·       вакуумную систему;

·       систему водяного охлаждения и термостабили-зации.

      В качестве источника ионов исполь­зу­ет­ся плазмо­трон, в котором реализован силь­но­точный дуговой разряд в глу­боком вакууме. В плазмотроне генерируются потоки частиц со скоростью до 105 м/с и энер­ги­ей до 50 кэВ с возможностью ре­гу­ли­ро­ва­ния этих величин в широких пределах.

Характеристики

Технология легирования металлов и сплавов ускоренными пучками ионов раз­личных элементов позволяет создавать в приповерхностном слое со­е­ди­не­ния с заранее заданными свойствами, которые невозможно получить любыми дру­гими способами.       При определённых режимах обработки, кроме мо­ди­фи­ка­ции состава, происходит наноструктурирование или аморфизация при­по­верх­ност­ного слоя обрабатываемых металлов. Формируемое на поверхности на­но­струк­турированное соединение является единым целым с основным ма­те­ри­а­лом, поэтому отсутствует проблеме адгезии, характерная для любых плё­ноч­ных покрытий

Применение

Создание  антикор­ро­зи­он­ных, из­но­со­стой­ких и

тер­мо­стойких защитных покрытий для изделий машиностроения

Коммерческое предложение

Выполнение работ на заказ

 

 

 

Сканирующий электронный микроскоп  JSM-6510LV-EDS с рентгеновским энерго-дисперсионным спектрометром

 

                  

 

Назначение

Предназначен для изучения топологии поверхности металлов, полупроводниковых, керамических и органических структур и их элементного и фазового состава.

Литографическая приставка к этому микроскопу позволяет изготавливать маски для плазмохимического травления интегральных микросхем с разрешением не хуже  20 нм.

Структура

Состоит из:

колонны электронного микроскопа с тремя сменными апертурами,

приставки энергодисперсионного анализатора,

датчика вторичнорассеяных электронов,

датчика вторичных электронов,

вакуумной системы высокого и низкого вакуума.

Характеристики

 Разрешение 3 нм на 30кВ, 8 нм на 3 кВ, 15 нм на 1 кВ.

Увеличение 5 – 300 000 крат.

Разрешение в режиме низкого вакуума 4 нм на 30 кВ.

Различение элементов на рентгенограмме начиная с кислорода.

Применение

Изучение микро-и наноструктур вещества, изучение фазового и элементного состава.

Коммерческое предложение

Снятие изображений для научных целей (для статей, диссертаций, дипломных работ), коммерческие измерения, поверка эталонов длинны.

 

 

Универсальный вакуумный сканирующий зондовый

микроскоп "ИНТЕГРА-АУРА»

Сканирующий  зондовый микроскоп «ИНТЕГРА-ПРИМА»

 

                 H:\Documents and Settings\1\Рабочий стол\Рисунок7.jpg     

 

Назначение

Атомно-силовой сканирующий зондовый микроскоп Ntegra Aura/Prima предназначен  для исследования свойств поверхности твердых тел в следующих режимах:

сканирующая туннельная микроскопия;

атомно-силовая микроскопия;

латерально-силовая микроскопия;

отображение фазы;

модуляция силы;

отображение адгезионных сил;

магнито-силовая микроскопия;

сканирующая ёмкостная микроскопия;

метод зонда Кельвина;

отображение сопротивления растекания;

силовая литография;

токовая литография.

Структура

Зондовая лаборатория имеет следующие приставки:

·       устройство сканирования зондом;

·       устройство сканирования образцом;

·       термостатирующий столик;

·       устройство виброзащиты;

·       столик для сканирования в жидкости;

·       система видеоконтроля;

·       система вакуумирования и контроля атмосферы.

Характеристики

Размер образца:

вплоть до 100 мм в диаметре, 
вплоть до 15 мм в высоту.

Вес образца   до 300 г.

XY позиционирование образца  5x5 мм.

Разрешение позиционирования:

разрешение - 5 мкм
минимальное перемещение - 2 мкм.

Поле сканирования:

100x100x10 мкм;
3x3x2,6 мкм;

100x100x10 мкм;
50x50x5 мкм;

вплоть до 150x150x15 мкм**(DualScanTMmode).

Нелинейность, XY:

0.1%;

0.15%(с датчиками обратной связи).

Уровень шума, Z:
(СКВ в полосе 1000 Гц)

0.04 нм (типично);

без датчиков

0.05 нм.

Уровень шума, XY***
(СКВ в полосе 200 Гц) :

с датчиками

0.2 нм (типично),

÷0.3 нм (XY 100 мкм);

0.1 нм (типично),
0.2 нм;

без датчиков

0.02 нм (XY 100 мкм),
0.001 нм (XY 3 мкм)

0.01 нм .

Применение

Исследование топологии поверхности, распределения локального коэффициента трения, распределения микротвердости, распределения поверхностного потенциала, качественное изучение фазового состава, изучение локальной проводимости, изучение поверхностной плотности электронных состояний (в туннельном режиме), выполнение силовой и анодной литографии с разрешением не хуже 10 нм

Коммерческое предложение

Измерение микроструктур на заказ, поверка эталонов. Оба микроскопа откалиброваны, о чём имеются соответствующие сертификаты.

        

 

 

Оборудование, введенное в эксплуатацию в 2012 г. (название, основные характеристики, фотографии)

 

Введена в эксплуатацию литографическая приставка к  имеющемуся электронному микроскопу JSM-6510LV, позволяющая изготавливать маски для плазмохимического травления интегральных микросхем с разрешением не хуже  20 нм. В состав литографического оборудования

входят  пикоамперметр  Keithley 6485/E   и центрифуга ИНФ-8 для

нанесения фоторезиста.