Специальное оборудование и оборудование,

введенное в эксплуатацию в 2012 г.

№	Наименование прибора, модель, производитель, краткое описание установки	Фото установки
1	Зондовая станция EPC1000 производства компании Ecopia (Корея, www.ecopia21.co.kr). Размер держателя: 150 мм. Микроскоп: увеличение ×90 ~ ×1000. Поворот держателя 360°. Перемещение XYZ, мм: 100, 100, 25. Точность позиционирования зондов 1 мкм. Методы. Ручная зондовая станция для измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик на пластинах до 150 мм (6 дюймов). Область применения. Установка предназначена для тестирования электрических свойств полупроводниковых компонентов (чипов, ламп, подложек, элементов smd типа и т.п.) с использованием внешних генераторов и анализаторов сигналов.
2	Установка контактной литографии SUSS MJB4 производства компании SUSS MicroTec (Германия, www.suss.com). Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 мкм. Размер обработки пластин и подложек - до 100 мм диаметром (пластины) и до 100×100 мм (подложки). Специальные держатели для кусков пластин, A^IIIB^V, толстых подложек, гибридных схем и ВЧ. Высокоточная юстировка на плоскости и манипулятора микроскопа. Возможность конфигураций оптики интенсивной УФ и экспозиций с длиной волны до 80 мВт/см^2. Система экспонирования позволяет работать на длинах волны 250, 300 и 400 нм без замены лампового блока. Разрешающая способность электронной колонны (при WD=2-10 мм) не хуже, чем 1,1 нм при 20 000 В. Минимальный размер получаемого элемента поверхности в пределах 15-20 нм. Методы. Установка обеспечивает следующие методы контакта: Низковакуумный. Для маленьких и хрупких подложек используется экспонирование при низковакуумном контакте. При этом виде контактирования снижается нагрузка по подложку. Достигается разрешение, превышающее параметры при мягком и жестком контакте. Мягкий контакт. При этом виде контактирования MJB4 может достигать разрешения в 2 микрона. Жесткий контакт. При этом методе зазор между шаблоном и пластиной еще меньше благодаря поддуву азота под пластиной. Пластина прижимается плотней к шаблону и разрешение может достигать 1 мкм. Вакуумный контакт. Может работать в режиме вакуумного контакта, позволяя достигнуть субмикронного разрешения. Для более высокого разрешения повышаются требования и к подборке фоторезиста. Контакт с зазором. Метод контактирования gap printing позволяет производить экспонирование с зазором до 50 мкм после предварительного совмещения маски и подложки. Область применения. Установка совмещения и экспонирования, при производстве микросхем.
3	Установка шлифовки и полировки LP50 производства компании Logitech Limited (Великобритания, www.logitech.uk.com). Установка шлифовки и полировки (УШП) с микроконтроллерным управлением обеспечивает прецизионное утонение кремниевых пластин диаметром 3 и 4 дюйма посредством операций шлифовки и полировки. Имеет функцию бондинга. Установка обеспечивает шероховатость полировки 50 нм; плоскопараллельность полируемых пластин 2 дюйма; использует жидкий раствор Al2O3 в качестве абразивного материала. Максимальная степень утонения: 2,5 мкм. Имеется фиксация пластины массой от 1 до 3300 грамм и контроль величины утонения во время процесса полировки/шлифовки. Методы. Прецизионное утонение кремниевых пластин диаметром 3 и 4 дюйма посредством операций шлифовки и полировки. Область применения. Шлифовка и полировка пластин.
4	Установка дисковой резки 7100-AD00-000-10 ProVectus производства компании Advanced Dicing Technologies (Израиль, http://www.adt-co.com). Установка предназначена для прецизионной дисковой резки широкого спектра материалов (Керамические подложки, толстопленочные компоненты, стекло, стекло на кремнии, пьезоэлектрические компоненты, ПАВ-фильтры, МЭМС, светодиоды и светодиоды на печатных платах, разделения групповых заготовок (BGA, QFN), оптоэлектронные компоненты, полупроводниковые пластины). Имеется возможность резки нескольких подложек одновременно и оснащена автоматической системой машинного зрения с функцией плавного цифрового видеомасштабирования, обеспечивающая оптимальное увеличение. Фронтальное расположение шпинделя и чугунное основание уменьшают вибрации и тепловыделение. Размеры обрабатываемых подложек/пластин: до 200 мм × 200 мм /до Ø 200 мм (опционально до Ø 300 мм). Размер диска 2 – 3 дюйма. Область применения. Установка предназначена для прецизионной дисковой резки.
5	Система снятия теплопритоков в помещениях производства компании Mitsubishi Electric (Япония, www.mitsubishielectric.com). Область применения. Система для обеспечения поддержания климатики в помещениях и лабораториях Наноцентра.	-
6	Криогенная цистерна ЦТК-5/0,25 производства КриогенТехГаз (Россия, , www.kriogenteh.ru). Криоцистерна предназначены для транспортирования, длительного хранения жидких азота, аргона, кислорода и заправки ими стационарно установленных газификаторов. Цистерна ЦТК-5/0,25 состоит из внутреннего сосуда и наружного кожуха. Трубопроводы, арматура, приборы и предохранительные устройства выведены на пульт арматурного шкафа. В нижней части цистерны имеется испаритель, служащий для создания в цистерне рабочего давления. Изоляция сосуда – вакуумно-многослойная. Вакуум в изоляционном пространстве – 10^-5 мм рт. ст. Цистерну можно перевозить железнодорожным и автомобильным транспортом, монтировать на шасси грузовых автомобилей. Объем 5 м3, количество заливаемого азота 4200 кг, потери при испарении (при 20°С) 1,5 кг/ч. Область применения. Транспортировка, длительное хранение жидких азота, аргона, кислорода и заправки ими стационарно установленных газификаторов.
7	Криомагнитная система замкнутого цикла 8Т CryoFree404, производства RTI Криомагнитные системы (Россия, http://www.cryo.ru). Уникальная криогенная безжидкостная компактная установка, которая позволяет получать магнитные поля до 15 T без использования жидкого гелия и азота. Применение теплового ключа, разработанного в криогенном отделе, позволяет охлаждать сверхпроводящий соленоид до 4,2 K, при этом варьируя температуру образца от 1,8 K до 300 K, используя один криорефрижератор. Для ввода тока в соленоид разработаны токовводы из ВТСП провода 2-го поколения. Установка испытана и готова к производству. Принцип охлаждения. Охлаждение осуществляется при помощи коммерческого криорефрижератора: Тип криорефрижератора: Пульсационная труба; Рабочий газ: Гелий-4; Хладопроизводительность: 1 ступень: 40 Вт при 45 K; 2  ступень: 1 Вт при 4,2 K; Минимально возможная температура: 2,7 K; Потребляемая мощность компрессора: 10 кВт. Область применения. Измерения электрофизических свойств образцов при низких температурах в магнитном поле.
8	Спектральный измерительный комплекс на базе спектрометра iHR 550, производства HORIBA (Япония, www.horiba.com). Оптико-механический прибор, предназначен для выделения узкой полосы излучения. Фокальное расстояние: 550 мм. Апертура: f/6.4. Спектральный диапазон: 150 нм – 40 мкм. Разрешение: 0,025 нм. Дисперсия: 1,55 нм/мм. Метод. Монохроматор Черни-Тернера состоит из следующих основных частей и узлов: входная спектральная щель, коллиматорный объектив, диспергирующий элемент (дифракционная решётка, grating), фокусирующий объектив и выходная спектральная щель, которая выделяет излучение, принадлежащее узкому интервалу длин волн. Плоское поле 30 мм × 12 мм, размер шага 0,002 нм. Область применения: Проведение измерений спектральных характеристик.
9	Компактная установка вакуумного напыления материалов методом термического испарения Kurt J. Lesker Nano36 (США, http://www.lesker.com). Магнетронные источники 1″, 2″, 3″, 4″. Контроль толщины (мониторинг для магнетронного процесса): На основе кварцевых датчиков с заслонками. При термическом напылении датчики связаны с БП источников для автоматической работы. Подложкодержатель: Плоский, диаметр до 8″, доступны конфигурации под заказ. Размер образцов: 2″, 3″, 4″, 6″, 60 × 48 мм, образцы произвольной формы. Предельный вакуум 10^-7 торр. Область применения. Используется для термического либо магнетронного распыления.
10	Измерительный комплекс микроклимата. Предназначен для контроля микроклимата помещений Наноцентра НИЯУ МИФИ.	-