|
|
Оборудование МРЦ-НТ |
|
|
|
|
|
|
|
|
Просвечивающая электронная микроскопия |
|
||
|
|
Libra 200 FE - аналитический просвечивающий электронный микроскоп для проведения исследований твердотельных и биологических образцов. Оснащен высокоэффективным автоэмиссионным эмиттером и энергетическим ОМЕГА-фильтром для выполнения прецизионных измерений с высоким разрешением кристаллической решетки и химического состава наноразмерных объектов. |
|
|
|
Ускоряющее напряжение: |
|
||
|
200 кВ, 80 кВ, 120 кВ |
|
||
|
|
|
||
|
в режиме ПЭМ (ТЕМ) 8х - 1 000 000х |
|
||
|
в режиме ПРЭМ (STEM) 2 000х - 5 000 000х |
|
||
|
в режиме СХПЭЭ (EELS) 20х - 315х |
|
||
|
Предельное разрешение: |
|
||
|
в режиме ПЭМ 0.12 нм |
|
||
|
в режиме ПРЭМ (STEM) 0.19 нм |
|
||
|
Разрешение спектрометра СХПЭЭ (EELS): по энергии 0.7 эВ. |
|
||
|
Методы: |
|
||
|
Высокоразрешающая электронная микроскопия (ВРЭМ) |
|
||
|
Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) |
|
||
|
Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (СТЭМ) |
|
||
|
ПЭМ с фильтрацией по энергиям |
|
||
|
Электронная дифракция (ED) |
|
||
|
ED в сходящемся пучке (CBED) |
|
||
|
Аналитическая электронная микроскопия (EELS, EDS) |
|
||
|
Z-контраст |
|
||
|
Наблюдение объекта в диапазоне температур от -170С до 25С |
|
||
|
|
|
|
|
|
Сканирующая электронная и ионная микроскопия |
|
||
|
|
Zeiss Merlin - сканирующий электронный микроскоп с полевым эмиссионным катодом, колонной электронной оптики GEMINI-II и безмаслянной вакуумной системой. |
|
|
|
Помимо детекторов вторичных электронов In-lens SE и SE2, микроскоп оснащен четырехквадрантным детектором обратно-рассеянных электронов (AsB) и детектором обратно-рассеянных электронов с фильтрацией по энергиям (EsB). |
|
||
|
Аналитические возможности микроскопа расширены дополнительными приставками для рентгеновского микроанализа Oxford Instruments INCAx-act и системой регистрации дифракции обратнорассеянных электронов (EBSD) Oxford Instruments CHANNEL5. |
|
||
|
|
|
||
|
1.Пространственное разрешение (предельное) при ускоряющем напряжении 15 кВ |
|
||
|
Ток пучка Разрешение |
|
||
|
40 нА 0,8 нм |
|
||
|
100 нА 0,8 нм |
|
||
|
|
|
||
|
|
|
||
|
2.Характеристики источника |
|
||
|
Диапазон токов пучка |
|
||
|
10пA - 300нA |
|
||
|
Стабильность тока пучка |
|
||
|
лучше чем 0,2% / час |
|
||
|
3.Стандартные детекторы |
|
||
|
Внутрилинзовый детектор вторичных электронов (In-lens SE) |
|
||
|
Детектор вторичных электронов Эверхарта-Торнли (SE2) |
|
||
|
Детектор обратно-рассеянных электронов с фильтрацией по энергиям (EsB). |
|
||
|
Четырехквадрантный детектор обратно-рассеянных электронов (AsB) |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Zeiss Supra 40VP - сканирующий электронный микроскоп с полевым (Field Emission) катодом, колонной электронной оптики GEMINI и полностью безмаслянной вакуумной системой с режимом работы на низком вакууме (VP). |
|
|
|
Помимо стандартных для серии Supra детекторов вторичных электронов In-lens SE и SE2, микроскоп оснащен детектором вторичных электронов для режима низкого вакуума (VPSE), четырехквадрантным детектором обратнорассеянных электронов (AsB). |
|
||
|
Аналитические возможности микроскопа расширены системой регистрации катодолюминесценции Gatan MonoCL3+ и системой регистрации токов наведенных электронным лучом (EBIC) Gatan SmartEBIC. |
|
||
|
Два микроманипулятора Kleidiek Nanotechnik позволяют модифицировать наноструктуры, контролируя процесс в режиме реального времени. |
|
||
|
1.Пространственное разрешение (предельное) |
|
||
|
Ускоряющее напряжение Разрешение |
|
||
|
200 В 5 нм |
|
||
|
1 кВ 2.1 нм |
|
||
|
15 кВ 1.3 нм |
|
||
|
|
|
||
|
Диапазон токов пучка |
|
||
|
4пA - 40 нA |
|
||
|
Стабильность тока пучка |
|
||
|
лучше чем 0,2% / час |
|
||
|
3.Вакуумные режимы |
|
||
|
Высокий вакуум в камере (HV) |
|
||
|
5x10-7торр |
|
||
|
Контролируемый низкий вакуум в камере(VP) |
|
||
|
1 Па - 144 Па |
|
||
|
4.Стандартные детекторы |
|
||
|
Внутрилинзовый детектор вторичных электронов (In-lens SE) |
|
||
|
Детектор вторичных электронов Эверхарта-Торнли (SE2) |
|
||
|
Детектор вторичных электронов для режима низкого вакуума в камере (VPSE) |
|
||
|
Четырехквадрантный детектор обратнорассеянных электронов (AsB) |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Микроскоп дополнительно укомплектован системой ионной литографии NanoMaker. |
|
||
|
Ускоряющее напряжение 10-40кВ. |
|
||
|
Ток ионного пучка: 0,1-100 pA. |
|
||
|
Разрешение по резкости края: 0,6 нм |
|
||
|
Детектор вторичных электронов. |
|
||
|
Детектор обратно-рассеянных ионов. |
|
||
|
Система компенсации поверхностного заряда электронным пучком. |
|
||
|
Программно-аппаратный комплекс NanoMaker производства Interface Ltd., предназначенный для проектирования и создания структур методами ионной и электронной литографии. Система позволяет выполнять экспонирование резиста, распыление материала ионным пучком и захват изображения с микроскопа, компенсировать статические и динамические ошибки отклоняющих систем микроскопа. Программное обеспечение позволяет подготовить данные для экспонирования или импортировать данные из растрового изображения. |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Пространственное разрешение 8 нм, при ускоряющем напряжении 20 кВ |
|
||
|
Диапазон увеличений от 20х до 50 000х |
|
||
|
Ускоряющее напряжение 1 - 30 кВ |
|
||
|
Перемещение образца ручное: по осям X,Y 0 — 20 мм, вращение образца 0 — 360 |
|
||
|
Максимальные размеры образца: 75мм в диаметре, 12 мм в высоту |
|
||
|
|
|
|
|
|
Ионная подготовка образцов |
|
||
|
|
FISCHIONE NanoMill установка для создания высококачественных тонких образов для ПЭМ Высокого Разрешения. |
|
|
|
|
|
||
|
Ионный источник, комбинированный с электронно-линзовой системой. |
|
||
|
Варьируемое напряжение 50 -2000 эВ |
|
||
|
Плотность тока пучка вплоть до 1мA/см2 |
|
||
|
Диаметр пучка менее 2 мкм |
|
||
|
Ток пучка в диапозоне 1-2000 пА |
|
||
|
Углы наклона образца |
|
||
|
в режиме просмотра СИМ -10 до +30 |
|
||
|
в режиме полировки -10 до +10 |
|
||
|
Охлаждение |
|
||
|
Система позволяющая охлаждать образец до температуры -175oС |
|
||
|
Время охлаждения системы 20 минут |
|
||
|
Время охлаждения образца 5 минут |
|
||
|
Интегрированная печь обеспечивает быстрое нагревание образца до комнатной температуры |
|
||
|
Визуализация |
|
||
|
|
|
||
|
|
Gatan Precision Ion Polishing System |
|
|
|
Установка ионного травления образцов для просвечивающей электронной микроскопии |
|
||
|
Полировка поверхности ионным пучком (Ar). |
|
||
|
Энергия ионов до 5 кэВ. |
|
||
|
Автоматизированный оптический контроль толщины образца. |
|
||
|
|
Gatan Precision Etching & Coating System |
|
|
|
Система подготовки образцов для сканирующей микроскопии |
|
||
|
Травление поверхности ионным пучком (Ar). |
|
||
|
Нанесение проводящих покрытий распылением мишени ионным пучком(Ar). |
|
||
|
Энрегия ионов до 10 кэВ. |
|
||
|
Контроль толщины напыляемого покрытия с помощью кварцевых весов. |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Установка вакуумного напыления TOOR International, Inc. (Model No. EB-6P8Kw, TH1,SP1) |
|
|
|
Комбинация систем напыления с помощью электронного луча, магнетрона и |
|
||
|
резистивных нагревателей позволяет получать тонкие пленки металлов и диэлектриков с заданной толщиной. |
|
||
|
|
|
||
|
Основные параметры |
|
||
|
|
|
||
|
Без масляный форвакуумный насос XDS35i – 35 л/сек, |
|
||
|
Высоковакуумный крионасос CTI-8 – 12К, 1500 л/сек, |
|
||
|
Рабочее давление – 10-6 Торр |
|
||
|
Электронно-лучевое испарение : |
|
||
|
Модель MDC Model EV6000-1012HF, |
|
||
|
Высоковольтный источник – 6квт ( 6кВ, 1А) |
|
||
|
Магнетронное напыление : |
|
||
|
Мощность – 300 вт, |
|
||
|
Частота – 13.56 МГц, |
|
||
|
Диаметр мишени – 2” . |
|
||
|
Два резистивных нагревателя : |
|
||
|
Мощность – до 2 квт (с индикацией тока) |
|
||
|
Измеритель толщины напыляемых пленок : |
|
||
|
Модель Sigma/Inficon SQC 300, |
|
||
|
Кварцевый кристалл с водяным охлаждением, |
|
||
|
Возможность воспроизведения установленных значений скорости осаждения и конечной толщины пленки с высокой точностью. |
|
||
|
Держатель для образцов (пластин) : |
|
||
|
Максимальный диаметр пластин – 5”, |
|
||
|
Скорость вращения – 0 – 20 об/мин. |
|
||
|
|
|
||
|
Механическая подготовка образцов |
|
||
|
|
Комплекс оборудования для механической обработки позволяет выполнять полный набор операций по подготовке образцов к исследованиям методами электронной, ионной и оптической микроскопии. |
|
|
|
Основное оборудование и выполняемые операции: |
|
||
|
Struers CitoPress - Полуавтоматический пресс для горячей запрессовки образцов в смолы. |
|
||
|
Struers CitoVac - Система вакууумной заливки образцов в смолы. |
|
||
|
Struers TegraPol - Автоматический шлифовально-полировальный станок |
|
||
|
Buehler Minimet 1000 - Полуавтоматический шлифовально-полировальный станок для образцов размером до 25мм |
|
||
|
Leica EM TXP - универсальная установка для механической прецизионной подготовки поверхности образцов |
|
||
|
Производимые операции: фрезеровка, резка, шлифовка, полировка. |
|
||
|
|
|
||
|
|
|
||
|
Криоподготовка образцов |
|
||
|
|
Leica EM GP - Автоматическая система криофиксации образцов для ПЭМ и СЭМ |
|
|
|
Позволяет фиксировать жидкости или жидкую матрицу в некристаллической фазе (аморфный лед). В том числе биологические суспензии и эмульсии на основе воды или неорганических растворов. |
|
||
|
Производимые операции: |
|
||
|
удаление лишней жидкости с помощью автоматической системы отжима |
|
||
|
создание жидких пленок фиксированной толщины 100-10 нм |
|
||
|
контроль среды в камере образца (температуры и влажности). |
|
||
|
регулировка температуры в камере от +4ºC до +60 ºC |
|
||
|
регулировка влажности в камере до 99% |
|
||
|
Криофиксация образца в жидком этане |
|
||
|
Оптическая микроскопия |
|
||
|
|
Zeiss Axio Imager |
|
|
|
Оптический стерео микроскоп |
|
||
|
Увеличение от 25х до 1000х. |
|
||
|
|
|
||
|
Поляроиды. |
|
||
|
Цифровая регистрация и обработка изображений. |
|
||
|
|
|
||
|
Olympus SZX16 - Стереомикроскоп для металлографических исследований объектов |
|
||
|
Стереомикроскоп оснащен апохроматической оптической системой. |
|
||
|
Разрешение 900 линий/мм. |
|
||
|
Высокая числовая апертура (0,3). |
|
||
|
Плавное изменение увеличения с 0,7 до 11,5 крат. |
|
||
|
Окуляры х10. |
|
||
|
Широкое поле зрения (104,8 мм). |
|
||
|
Большая рабочая дистанция (141 мм). |
|
||
|
Режимы наблюдения образцов: отраженный и проходящий свет. |
|
||
|
Olympus BX-51 - Исследовательский микроскоп |
|
||
|
BX51 предназначен для проведения исследований как в проходящем, так и в отраженном свете. |
|
||
|
Универсальные объективы для светлого и темного поля для поляризации без внутренних напряжений – 5х; 10х; 20х; 50х; 100х. |
|
||
|
Диапазон увеличения от 12,5х до 2500х. |
|
||
|
Окуляры х10. |
|
||
|
Ход фокусировки 25 мм, точная фокусировка в пределах 100 мкм. |
|
||
|
Шаг точной фокусировки 1 мкм. |
|
||
|
Режимы наблюдения образцов: отраженный и проходящий свет, светлопольное и темнопольное изображение, интерференционный контраст, поляризационный контраст. |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Система Auriga Laser |
|
|
|
Рабочая станция со скрещенными электронным и галлиевым ионным пучками, дополнительно укомплектованная лазером. |
|
||
|
Электронная колонна GEMINI |
|
||
|
1.Пространственное разрешение (предельное) |
|
||
|
Ускоряющее напряжение Разрешение |
|
||
|
1 кВ 1.9 нм |
|
||
|
|
|
||
|
2. Диапазон токов пучка |
|
||
|
4пA - 20 нA |
|
||
|
3. Ускоряющее напряжение |
|
||
|
0.1 – 30 кВ |
|
||
|
Ионная колонна с жидкометаллическим галлиевым источником |
|
||
|
1.Пространственное разрешение (предельное) |
|
||
|
Ускоряющее напряжение Разрешение |
|
||
|
30 кВ 2.5 нм |
|
||
|
2. Диапазон токов пучка |
|
||
|
1пA - 50 нA |
|
||
|
3. Ускоряющее напряжение |
|
||
|
1 – 30 кВ |
|
||
|
Система инжекции газов |
|
||
|
Твердотельный лазер |
|
||
|
Длина волны 355 нм |
|
||
|
Длительность импульса 4-20 нс |
|
||
|
Частота импульсов 1 – 120 кГц |
|
||
|
Мощность в импульсе до 20 кВт |
|
||
|
Диаметр пятна фокусировки 15 мкм |
|
||
