Полное название НОЦ:

 

Научно-образовательный центр "Нанотехнологии"

 

Краткое название НОЦ:

 

НОЦ "Нанотехнологии"

 

Статус НОЦ:

 

структурное подразделение в составе организации (ВУЗа)

 

Город:

 

Долгопрудный

 

Регион:

 

Московская область

 

Федеральный округ:

 

Центральный

 

 Руководитель НОЦ:

 

Тодуа Павел Андреевич

 

 Должность руководителя НОЦ:

 

руководитель

 

Ученая степень руководителя НОЦ:

 

д.ф.-м.н.

 

Ученое звание руководителя НОЦ:

 

профессор

 

Телефон руководителя НОЦ:

 

8-495-408-81-88

 

 E-mail руководителя НОЦ:

 

todua@ckpmipt.ru

 

Организация учредитель:

 

Московский физико-технический институт

 

Руководитель организации-учредителя:

 

ректор

 

Ученая степень руководителя организации-учредителя:

 

д.ф.-м.н.

 

Ученое звание руководителя организации-учредителя:

 

профессор

 

Телефон руководителя организации-учредителя:

 

8-495-408-57-00

 

E-mail руководителя организации-учредителя:

 

rector@mipt.ru

 

Контактное лицо:

 

Заблоцкий Алексей Васильевич

 

Телефон контактного лица:

 

8-910-469-96-48

 

E-mail контактного лица:

 

zalexx@gmail.com

 

Факс контактного лица:

 

8-495-408-81-88

 

Реализуемые базовые направления деятельности НОЦ в рамках ННС (не более трех, ранжировать по значимости)

1

Наноэлектроника

2

Наноинженерия

3

 

 

Приоритетные направления развития науки, технологий и техники в РФ, реализуемые на базе НОЦ (не более трех, ранжировать по значимости)

1

Индустрия наносистем.

2

Информационно-телекоммуникационные системы.

3

 

 

Критические технологии РФ, реализуемые на базе НОЦ (не более десяти, ранжировать по значимости)

1

Технологии создания электронной компонентной базы и энергоэффективных световых устройств.

2

Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств.

3

Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии.

4

Технологии наноустройств и микросистемной техники.

5

 

6

 

7

 

8

 

9

 

10

 

 

Базовая профессионально – тематическая ориентация НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости)

1

Наноэлектроника

2

Метрологическое обеспечение нанопродукции

3

Методы нанодиагностики

4

Нано- и микросистемная техника

5

Процессы нанотехнологии

 

Доминирующие организационные формы функционирования НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости)

1

Центр прототипирования

2

Центр коллективного пользования

3

Центр метрологического обеспечения

4

 

5

 

 

Функциональная ориентация НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости)

1

Прототипирование, контрактное и мелкосерийное производство

2

Прикладные исследования

3

Фундаментальные и поисковые исследования

4

Лабораторно-методическое обеспечение образовательного процесса

5

Подготовка кадров в рамках основного образовательного процесса

 

Преимущественный вид выполняемых работ (не более пяти, ранжировать по значимости)

1

Научно-исследовательские работы

2

Услуги: контрольно-диагностическое и/или  метрологическое обеспечение

3

Услуги: образовательный процесс

4

 

5

 

 

Доминирующие источники финансирования (ранжировать по значимости)

1

Федеральные  целевые программы

2

Хоздоговорная деятельность

3

 

4

 

5

 

6

 

 

Предлагаемый вид наукоемкой продукции в рамках возможного сетевого сотрудничества (ранжировать по значимости)

1

Технологические операции

2

Аналитико-диагностические методы

3

 

4

 

5

 

6

 

 

Результаты научно-технической  и образовательной деятельности (указать три приоритетных из выборки)

1

Прибор (модуль, компонент, блок, устройство, прибор, электронная элементная база)

2

Образец (эталон)

3

Технологическая операция

 

Базовые направления создания объектов интеллектуальной собственности ( указать три приоритетных из выборки)

1

Полезная модель

2

Изобретение

3

Прочее

 

Наиболее значимые патенты за период 2009-2012 гг (не более 5) дата приоритета, номер, название

1

28.07.2011, 2472254, Мемристор на основе смешанного оксида металлов

2

 

3

 

4

 

5

 

 

Реализуемые на базе НОЦ образовательные программы:

 

Основные образовательные программы (не более 5- номера направлений и их названия)

1

010943, Физика и технология наноэлектронных приборов

2

010997, Нанодиагностика, метрология, стандартизация и сертификация продукции нанотехнологий и наноиндустрии

3

 

4

 

5

 

 

Программы повышения квалификации (не более 2)

1

Электронно-лучевая литография

2

Методы нанодиагностики

 

Программы переподготовки кадров (не более 2)

1

Метрологическое обеспечение измерений размеров в нанодиапазоне

2

 

 

Программы профессиональной ориентации школьников (названия направлений дисциплин)

1

 

2

 

 

Научно-образовательная полиграфическая продукция (ранжировать по значимости)

1

Статьи в иностранных изданиях

2

Статьи в реферируемых изданиях

3

Лабораторные практикумы

4

Учебное пособие

5

Тезисы докладов

 

Избранные публикации по тематике деятельности НОЦ (не более 10)

1

Markeev A., Chouprik A., Egorov K., Lebedinsk Y., Zenkevich A., Orlov O. Multilevel resistive switching in ternary HfxAl 1-xOy oxide with graded Al depth profile // Microelectronic Engineering, Volume 109, 2013, Pages 342-345

2

Minnekaev M., Bulakh K., Chouprik A., Drube W., Ershov P., Lebedinskii Y., Maksimova K., Zenkevich A. Structural, ferroelectric, electronic and transport properties of BaTiO3/Pt heterostructures grown on MgO(0 0 1) // Microelectronic Engineering, Volume 109, 2013, Pages 227-231

3

Melentiev P., Zablotskiy A., Lapshin D., Sheshin E., Baturin A., Balykin V. Nanolithography based on an atom pinhole camera // Nanotechnology, Volume 20, Issue 23, 2009, Article number 235301

4

Zenkevich A., Minnekaev M., Matveyev Y., Lebedinskii Y., Bulakh K., Chouprik A., Baturin A., Maksimova K., Thiess S., Drube W. Electronic band alignment and electron transport in Cr/BaTiO3/Pt ferroelectric tunnel junctions // Applied Physics Letters, Volume 102, Issue 6, 11 February 2013, Article number 062907

5

Melentiev P., Afanasiev A., Kuzin A., Zablotskiy A., Baturin A., Balykin V. Single nanohole and photonic crystal: Wavelength selective enhanced transmission of light // Optics Express, Volume 19, Issue 23, 7 November 2011, Pages 22743-22754

6

Alekhin A., Chouprik A., Gudkova S., Markeev A., Lebedinskii Yu., Matveyev  Yu., Zenkevich A.  Structural and electrical properties of Ti x Al 1-x O y thin films grown by atomic layer deposition // Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Volume 29, Issue 1, January 2011, Pages 01A3021-01A3026

7

Alekhin A., Chouprik A., Grigal I., Gudkova S., Lebedinskii Yu., Markeev A., Zaitsev S. Electrical properties of quaternary HfAlTiO thin films grown by atomic layer deposition  // Thin Solid Films, Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4547-4550

8

Zenkevich A., Minnekaev M., Lebedinskii Yu., Bulakh K., Chouprik A., Baturin A., Mantovan R., Fanciulli M., Uvarov O.  Pulsed laser deposition of ultrathin BaTiO 3/Fe bi-layers: Structural characterization and piezoelectric response  // Thin Solid Films, Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4586-4589

9

Zenkevich A., Lebedinskii Yu., Scarel G., Fanciulli M., Baturin A., Lubovin N. Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(1 0 0) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM // Microelectronics Reliability Volume 47, Issue 4-5 SPEC. ISS., April 2007, Pages 657-659

10

Konstantinova T., Melentiev P., Afanasiev A., Balykin V., Kuzin A., Starikov P., Baturin A., Tausenev A., Konyashchenko A.  Nanolocalised source of femtosecond radiation // Quantum Electronics, Volume 43, Issue 4, 2013, Pages 379-387

 

Виды предоставляемых услуг (ранжировать по значимости)

1

Проведение совместных исследований и разработок

2

Предоставление оборудования и инфраструктуры в аренду

3

Подготовка/переподготовка кадров

4

 

5

 

 

Международная кооперация (ранжировать по значимости, исходя из реализуемых направлений)

1

Стажировка сотрудников

2

Совместное выполнение научных исследований

3

 

4

 

5

 

 

Уровень научно-технической деятельности (самооценка)

 

Соответствует мировому уровню

 

Уровень образовательной деятельности (самооценка)

 

Соответствует мировому уровню