|
Полное название НОЦ: |
|
Научно-образовательный центр "Нанотехнологии" |
|
Краткое название НОЦ: |
|
НОЦ "Нанотехнологии" |
|
Статус НОЦ: |
|
структурное подразделение в составе организации (ВУЗа) |
|
Город: |
|
Долгопрудный |
|
Регион: |
|
Московская область |
|
Федеральный округ: |
|
Центральный |
|
Руководитель НОЦ: |
|
Тодуа Павел Андреевич |
|
Должность руководителя НОЦ: |
|
руководитель |
|
Ученая степень руководителя НОЦ: |
|
д.ф.-м.н. |
|
Ученое звание руководителя НОЦ: |
|
профессор |
|
Телефон руководителя НОЦ: |
|
8-495-408-81-88 |
|
E-mail руководителя НОЦ: |
|
todua@ckpmipt.ru |
|
Организация учредитель: |
|
Московский физико-технический институт |
|
Руководитель организации-учредителя: |
|
ректор |
|
Ученая степень руководителя организации-учредителя: |
|
д.ф.-м.н. |
|
Ученое звание руководителя организации-учредителя: |
|
профессор |
|
Телефон руководителя организации-учредителя: |
|
8-495-408-57-00 |
|
E-mail руководителя организации-учредителя: |
|
rector@mipt.ru |
|
Контактное лицо: |
|
Заблоцкий Алексей Васильевич |
|
Телефон контактного лица: |
|
8-910-469-96-48 |
|
E-mail контактного лица: |
|
zalexx@gmail.com |
|
Факс контактного лица: |
|
8-495-408-81-88 |
|
Реализуемые базовые направления деятельности НОЦ в рамках ННС (не более трех, ранжировать по значимости) |
1 |
Наноэлектроника |
2 |
Наноинженерия |
3 |
|
|
Приоритетные направления развития науки, технологий и техники в РФ, реализуемые на базе НОЦ (не более трех, ранжировать по значимости) |
1 |
Индустрия наносистем. |
2 |
Информационно-телекоммуникационные системы. |
3 |
|
|
Критические технологии РФ, реализуемые на базе НОЦ (не более десяти, ранжировать по значимости) |
1 |
Технологии создания электронной компонентной базы и энергоэффективных световых устройств. |
2 |
Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств. |
3 |
Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии. |
4 |
Технологии наноустройств и микросистемной техники. |
5 |
|
6 |
|
7 |
|
8 |
|
9 |
|
10 |
|
|
Базовая профессионально – тематическая ориентация НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости) |
1 |
Наноэлектроника |
2 |
Метрологическое обеспечение нанопродукции |
3 |
Методы нанодиагностики |
4 |
Нано- и микросистемная техника |
5 |
Процессы нанотехнологии |
|
Доминирующие организационные формы функционирования НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости) |
1 |
Центр прототипирования |
2 |
Центр коллективного пользования |
3 |
Центр метрологического обеспечения |
4 |
|
5 |
|
|
Функциональная ориентация НОЦ (не более пяти, ранжировать по значимости) |
1 |
Прототипирование, контрактное и мелкосерийное производство |
2 |
Прикладные исследования |
3 |
Фундаментальные и поисковые исследования |
4 |
Лабораторно-методическое обеспечение образовательного процесса |
5 |
Подготовка кадров в рамках основного образовательного процесса |
|
Преимущественный вид выполняемых работ (не более пяти, ранжировать по значимости) |
1 |
Научно-исследовательские работы |
2 |
Услуги: контрольно-диагностическое и/или метрологическое обеспечение |
3 |
Услуги: образовательный процесс |
4 |
|
5 |
|
|
Доминирующие источники финансирования (ранжировать по значимости) |
1 |
Федеральные целевые программы |
2 |
Хоздоговорная деятельность |
3 |
|
4 |
|
5 |
|
6 |
|
|
Предлагаемый вид наукоемкой продукции в рамках возможного сетевого сотрудничества (ранжировать по значимости) |
1 |
Технологические операции |
2 |
Аналитико-диагностические методы |
3 |
|
4 |
|
5 |
|
6 |
|
|
Результаты научно-технической и образовательной деятельности (указать три приоритетных из выборки) |
1 |
Прибор (модуль, компонент, блок, устройство, прибор, электронная элементная база) |
2 |
Образец (эталон) |
3 |
Технологическая операция |
|
Базовые направления создания объектов интеллектуальной собственности ( указать три приоритетных из выборки) |
1 |
Полезная модель |
2 |
Изобретение |
3 |
Прочее |
|
Наиболее значимые патенты за период 2009-2012 гг (не более 5) дата приоритета, номер, название |
1 |
28.07.2011, 2472254, Мемристор на основе смешанного оксида металлов |
2 |
|
3 |
|
4 |
|
5 |
|
|
Реализуемые на базе НОЦ образовательные программы: |
|
Основные образовательные программы (не более 5- номера направлений и их названия) |
1 |
010943, Физика и технология наноэлектронных приборов |
2 |
010997, Нанодиагностика, метрология, стандартизация и сертификация продукции нанотехнологий и наноиндустрии |
3 |
|
4 |
|
5 |
|
|
Программы повышения квалификации (не более 2) |
1 |
Электронно-лучевая литография |
2 |
Методы нанодиагностики |
|
Программы переподготовки кадров (не более 2) |
1 |
Метрологическое обеспечение измерений размеров в нанодиапазоне |
2 |
|
|
Программы профессиональной ориентации школьников (названия направлений дисциплин) |
1 |
|
2 |
|
|
Научно-образовательная полиграфическая продукция (ранжировать по значимости) |
1 |
Статьи в иностранных изданиях |
2 |
Статьи в реферируемых изданиях |
3 |
Лабораторные практикумы |
4 |
Учебное пособие |
5 |
Тезисы докладов |
|
Избранные публикации по тематике деятельности НОЦ (не более 10) |
1 |
Markeev A., Chouprik A., Egorov K., Lebedinsk Y., Zenkevich A., Orlov O. Multilevel resistive switching in ternary HfxAl 1-xOy oxide with graded Al depth profile // Microelectronic Engineering, Volume 109, 2013, Pages 342-345 |
2 |
Minnekaev M., Bulakh K., Chouprik A., Drube W., Ershov P., Lebedinskii Y., Maksimova K., Zenkevich A. Structural, ferroelectric, electronic and transport properties of BaTiO3/Pt heterostructures grown on MgO(0 0 1) // Microelectronic Engineering, Volume 109, 2013, Pages 227-231 |
3 |
Melentiev P., Zablotskiy A., Lapshin D., Sheshin E., Baturin A., Balykin V. Nanolithography based on an atom pinhole camera // Nanotechnology, Volume 20, Issue 23, 2009, Article number 235301 |
4 |
Zenkevich A., Minnekaev M., Matveyev Y., Lebedinskii Y., Bulakh K., Chouprik A., Baturin A., Maksimova K., Thiess S., Drube W. Electronic band alignment and electron transport in Cr/BaTiO3/Pt ferroelectric tunnel junctions // Applied Physics Letters, Volume 102, Issue 6, 11 February 2013, Article number 062907 |
5 |
Melentiev P., Afanasiev A., Kuzin A., Zablotskiy A., Baturin A., Balykin V. Single nanohole and photonic crystal: Wavelength selective enhanced transmission of light // Optics Express, Volume 19, Issue 23, 7 November 2011, Pages 22743-22754 |
6 |
Alekhin A., Chouprik A., Gudkova S., Markeev A., Lebedinskii Yu., Matveyev Yu., Zenkevich A. Structural and electrical properties of Ti x Al 1-x O y thin films grown by atomic layer deposition // Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Volume 29, Issue 1, January 2011, Pages 01A3021-01A3026 |
7 |
Alekhin A., Chouprik A., Grigal I., Gudkova S., Lebedinskii Yu., Markeev A., Zaitsev S. Electrical properties of quaternary HfAlTiO thin films grown by atomic layer deposition // Thin Solid Films, Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4547-4550 |
8 |
Zenkevich A., Minnekaev M., Lebedinskii Yu., Bulakh K., Chouprik A., Baturin A., Mantovan R., Fanciulli M., Uvarov O. Pulsed laser deposition of ultrathin BaTiO 3/Fe bi-layers: Structural characterization and piezoelectric response // Thin Solid Films, Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4586-4589 |
9 |
Zenkevich A., Lebedinskii Yu., Scarel G., Fanciulli M., Baturin A., Lubovin N. Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(1 0 0) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM // Microelectronics Reliability Volume 47, Issue 4-5 SPEC. ISS., April 2007, Pages 657-659 |
10 |
Konstantinova T., Melentiev P., Afanasiev A., Balykin V., Kuzin A., Starikov P., Baturin A., Tausenev A., Konyashchenko A. Nanolocalised source of femtosecond radiation // Quantum Electronics, Volume 43, Issue 4, 2013, Pages 379-387 |
|
Виды предоставляемых услуг (ранжировать по значимости) |
1 |
Проведение совместных исследований и разработок |
2 |
Предоставление оборудования и инфраструктуры в аренду |
3 |
Подготовка/переподготовка кадров |
4 |
|
5 |
|
|
Международная кооперация (ранжировать по значимости, исходя из реализуемых направлений) |
1 |
Стажировка сотрудников |
2 |
Совместное выполнение научных исследований |
3 |
|
4 |
|
5 |
|
|
Уровень научно-технической деятельности (самооценка) |
|
Соответствует мировому уровню |
|
Уровень образовательной деятельности (самооценка) |
|
Соответствует мировому уровню |