Оборудование НОЦ «Нанокластер»

Научно-образовательный центр по направлению «нанотехнологии» создан в Томском государственном университете (приказ ректора №755 от 26.12.2007 о создании НОЦ «Нанокластер») в рамках Федеральной адресной инвестиционной программы 2007 года

НОЦ образован по кластерному принципу – это объединение профильных научно-образовательных центров «Физика и химия высокоэнергетических систем», «Физика и электроника сложных полупроводников», «Наноэлектроника», «Инновационно-технологический научно-образовательный центр», «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники», «Физикохимия каталитических систем и функциональных материалов».

Основные виды деятельности: научная, образовательная, инновационная.

Общее руководство деятельностью Центра осуществляет Ученый совет Центра. Ученый совет состоит из специалистов университета и академических институтов СО РАН, состав Ученого совета Центра утверждается приказом ректора Университета. Директор Центра является председателем Ученого совета Центра.

Образовательный процесс в Центре осуществляется на базе химического, физического, радиофизического и физико-технического факультетов, выпускающих бакалавров, специалистов и магистров.

Основные направления НИОКР, развиваемые в Центре:

· Технологии производства ультрадисперсных и наноразмерных порошковых материалов (металлы, полупроводники, диэлектрики) и изделий на их основе;

· Технологии производства  биосовместимых материалов и покрытий, сверхэластичных имплантатов и устройств с памятью формы для медицины;

· Технологии производства материалов для электроники и фотоники, полупроводниковых детекторов и газовых сенсоров;

· Технологии производства композиционных, керамических и полимерных материалов;

· Технологии производства катализаторов для химической  промышленности.

При подготовке специалистов и проведении НИОКР используется материально-техническая база Томского регионального ЦКП Томского госуниверситета (http://www.ckp.tsu.ru/) и Научно-инновационного центра Томского государственного университета (4 технологические площадки, располагающиеся на площадях университета, ИФПМ СО РАН и малых инновационных предприятий).

Научные исследования и подготовка кадров высшей квалификации ведутся в тесном взаимодействии с НИИ госуниверситета (Сибирский физико-технический институт, НИИ прикладной математики и механики, НИИ медицинских материалов) и академическими институтами Сибирского отделения РАН: Институт физики прочности и материаловедения и Институт сильноточной электроники (Томск), Институт физики полупроводников и Институт неорганической химии (Новосибирск), Институт физико-энергетических проблем (Бийск) – а также ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» (Томск) и рядом малых предприятий инновационного пояса ТГУ.

2.1. Пример действующей технологической площадки: НОЦ «Нанокластер» Томского государственного университета/НОЦ «Физика и электроника сложных полупроводников/Технологический центр «Микроэлектроника».

Технологический центр «Микроэлектроника» оснащён технологическим оборудованием под базовые технологии материалов и наноструктур, разработку технологии МИС квантово-чувствительных сенсоров различных воздействий, элементной базы сенсорной и функциональной электроники для модулей, устройств, диагностических блоков и информационных систем на сумму более 130 млн. руб. Общая площадь – 500 м2 в т.ч.: - класс чистоты 5000 – 50 м2, - класс чистоты 10000 – 150 м2

2.2. Примеры оборудования, введенного в эксплуатацию в 2012 г.

2.2.1. Автоматизированная установка по спектроскопии адмиттанса наногетероструктур представляет собой многофункциональную автоматизированную систему, предназначенную для определения параметров полупроводниковых структур, а именно: концентрация носителей заряда, ширина области объемного заряда, параметры локальных энергетических уровней и уровней квантования (энергия активации, сечение захвата) - в полупроводниках и полупроводниковых гетеросистемах, включая квантоворазмерные гетероструктуры с одиночными и множественными квантовыми ямами, квантовыми точками. Комплекс позволяет проводить количественные измерения электрофизических параметров материалов и структур нано- и микроэлектроники в зависимости от напряжения смещения, температуры образца и частоты тестового сигнала. Комплекс будет задействован в проведении научных работ при выполнении НИР и ОКР по критическим технологиям РФ (нанотехнологии и наноматериалы, технологии новых и возобновляемых источников энергии, технологии создания электронной компонентной базы), кроме этого на нём будут выполнять научные исследования студенты, магистранты, аспиранты и докторанты.

2.2.2. Оборудование для учебной лаборатории по квантовой радиофизике и лазерной технике приобретено для материально – технического  обеспечения учебного процесса (Проведение лабораторных работ) РФФ ТГУ по направлениям Радиофизика, Фотоника и оптоинформатика, Оптотехника, а также для подготовки специалистов по специальности: Лазерная техника и лазерные технологии. Кроме того, Лаборатория будет использоваться для профориентации абитуриентов и проведения экскурсий школьников.