Продукция НОЦ «Нанотехнологии в электронике»
6-bit (8-bit) Драйвер – транслятор уровней напряжения
Основные характеристики
· однополярное -5 В питание
· 10 мВт/разряд потребляемая мощность
· 300 мкА максимальный входной ток
· 20 нс время переключения
· КМОП/ТТЛ входные логические уровни напряжения
· парафазные выходные сигналы
· 0/-3,5 В выходные уровни напряжения
· -40/+80 ºС расширенный диапазон рабочих температур
Область применения
схемы управления в составе монолитно-интегрованных СВЧ схем
Драйвер-дешифратор 2 в 4
Основные характеристики
· однополярное -5 В питание
· 40 мВт потребляемая мощность
· 300 мкА максимальный входной ток
· 20 нс время переключения
· КМОП/ТТЛ входные логические уровни напряжения
· парафазные выходные сигналы
· 0/-3,5 В выходные уровни напряжения
· -40/+80 ºС расширенный диапазон рабочих температур
Область применения
· схемы управления в составе монолитно-интегрованных СВЧ схем
6bit сдвиговый регистр с драйверами
Основные характеристики
· однополярное -5 В питание
· 100 мВт потребляемая мощность
· 400 мкА максимальный входной ток
· 20 нс время переключения
· КМОП/ТТЛ входные логические уровни напряжения
· парафазные выходные сигналы
· 0/-3,5 В выходные уровни напряжения
· -40/+80 ºС расширенный диапазон рабочих температур
Область применения
· схемы управления в составе монолитно-интегрованных СВЧ схем
20 ГГц СВЧ компаратор с ТРД
Основные характеристики
· 1,5÷2 В диапазон порога переключения
· 20 пс время переключения
· 50 мВт потребляемая мощность
· 350 мВ выходной перепад напряжения
Область применения
· быстродействующие аналого-цифровые преобразователи
· пиковые детекторы
· пороговые элементы
Издана монография профессора Неволина В.К. «Квантовый транспорт в устройствах электроники».
· создан макет сенсора на поверхностных акустических волнах для анализа биосовместимых объектов.
Разработан электрохимический реактор для проведения электрохимических процессов оксидирования и растворения металлических и полупроводниковых твердотельных материалов. С использованием реактора возможно формирования пористых наноматериалов, характеризующихся высокой степенью упорядоченности. Геометрическими параметрами этих наноматериалов можно управлять в процессе синтеза, задавая определенные электрохимические параметры (напряжение, плотность тока, температура).
Продукция НТЦ НМСТ
За время работы центра его сотрудниками опубликовано более 100 научных публикаций. Благодаря современной линии производства МЭМС с проектными нормами 0,8 мкм и развитой аналитической лаборатории НТЦ НМСТ обладает огромным потенциалом для выполнения сложнейших НИОКР.
Центром реализуются проекты по поддержке молодых ученых за счет формирования малых инновационных предприятий, созданных по федеральному закону от 2.09.2009 N217-ФЗ, которые уже функционируют и активно формируют новые сегменты рынка высокотехнологичных производств. Благодаря сплоченной и квалифицированной команде, центру удается качественно выполнять поставленные задачи в срок.
В 2012 году на оборудовании ЦКП МСТиЭКБ проведена ОКР «Разработка СБИС и технологии изготовления чип-модулей для идентификационно-платежных систем и универсальных сенсоров, интегрированных со схемами обработки сигналов», в рамках которой разработан интеллектуальный МЭМС-сенсор расхода газа (ИМС РГ) (Рисунок 9), работающий при избыточном давлении не более 0,12 МПа и обеспечивающий:
- измерение, запись в смарт-карту и передачу по беспроводному интерфейсу скорости потока в диапазоне 0,05 … 3 м/с;
- измерение, запись в смарт-карту и передачу по беспроводному интерфейсу массового расхода в диапазоне 0,04 … 2,4 кг/ч;
- приведенную погрешность значений показателей среды не более:
- 2,0% для скорости потока газа;
- 2,0% для массового расхода газа.
Рисунок 9 – интеллектуальный МЭМС-сенсор расхода газа
Также проведена НИР «Развитие ЦКП «МСТ и ЭКБ» комплексных исследований в области разработки перспективной технологии создания элементов функциональной электроники», в рамках которой были получены следующие результаты:
- Проведена оптимизация процесса химического осаждения из газовой фазы алмазоподобных пленок.
- Разработана методика проведения высокоточных измерений напряжений в пленках и подложках на этапах технологического маршрута изготовления структур функциональной электроники.
- Разработана методика визуализации пустот после операции бондинга.
- Проведена оптимизация процесса низкотемпературного и беззарядового снятия органических загрязнений для операций бондинга пластин на этапах технологического маршрута изготовления структур функциональной электроники.
- Разработан технологический маршрут формирования автоэмиссионной катодной ячейки для устройств вакуумной наноэлектроники.
В рамках выполнения НИР «Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: интегральные матричные сенсоры теплового излучения с оптической модуляцией сигнала» была проведена исследовательская работа по получению РЭМ-изображений матричного сенсора теплового излучения.
Проведена НИОКР "Разработка и изготовление опытных образцов интеллектуальных ИК датчиков на основе наноэлектромеханических термосенсоров для энергосберегающих систем".
Проведена НИР «Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: биморфные нанооптоэлектромеханические сенсоры», в рамках которой разработана методика измерений рельефа поверхности с нанометровым и субнанометровым вертикальным разрешением методами атомно-силовой микроскопии и оптический профилометрии и методика визуализации и исследования наноразмерных объектов при различных температурах в растровом электронном микроскопе.